掺杂电荷转移绝缘体中的局域矩动力学与屏蔽效应
强关联电子
2013-10-14 v1
摘要
通过动力学平均场理论，我们研究了一个关联材料模型的自旋响应函数，该模型中具有 d 或 f 电子的关联电子与更离域的配体轨道发生杂化。我们指出了导致关联电子局域矩动力学屏蔽的两种不同过程的存在。通过研究局域自旋磁化率，我们确定了“直接”磁交换的贡献以及由巡游非关联轨道介导的“间接”磁交换的贡献。此外，我们根据对密度矩阵有贡献的杂化展开中的不同类别费曼图，刻画了动力学屏蔽过程的性质。我们的分析提出了在关联材料的实际计算中估计这两类屏蔽过程相对重要性的可能方法。
引用
@article{arxiv.1310.3043,
title = {Local moment dynamics and screening effects in doped charge-transfer insulators},
author = {A. Amaricci and N. Parragh and M. Capone and G. Sangiovanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.3043},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 6 figures