光掺杂莫特绝缘体中的屏蔽动力学
强关联电子
2015-11-17 v1
摘要
我们使用扩展动力学平均场理论的非平衡实现来研究光激发莫特绝缘体中动态屏蔽的效应。双占据和空穴的插入增加了低能屏蔽模式并导致莫特能隙减小。与低能玻色模式的耦合进一步打开新的弛豫通道并显著加速热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
引用
@article{arxiv.1507.07953,
title = {Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators},
author = {Denis Golez and Martin Eckstein and Philipp Werner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07953},
year = {2015}
}