硅双极微电路中辐照后输入偏置电流对辐照前数值的线性依赖关系

我们在实验中发现，在具有简单输入级的双极器件中，电离辐照引起的退化对输入偏置电流的辐照前数值存在线性依赖关系。该依赖关系在不同器件类型和不同辐照条件的所有研究案例中均普遍存在。我们提出界面态能量分布（$D_{it}$）在辐照下的一种独特行为作为所观测现象的起源：通过位于辐照前界面陷阱附近的 Si-H 键去钝化而产生界面陷阱，使得 $D_{it}$ 表现为初始 $D_{it}$ 的放大，并导致普遍的线性依赖关系。基于所观测现象，我们提出了一种利用辐照前数值进行更精确损伤预测的方法。