单电子隧穿振荡的线宽：实验与数值模拟
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们报告了一维小隧穿结数组中的单电子隧穿振荡的实验与数值结果，通过实时检测时相关的单电子隧穿。电子以频率 f=I/e 隧穿，其中 I 为电流，e 为电子电荷。实验上，我们将单电子晶体管连接到最后一个数组岛，以此方式通过计数单个电子测得电流范围为 5 fA 到 1 pA。我们发现振荡的线宽与频率 f 成正比。实验数据与数值模拟结果良好吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508688,
title = {Line Widths of Single-Electron Tunneling Oscillations: Experiment and Numerical Simulations},
author = {Jonas Bylander and Tim Duty and Per Delsing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508688},
year = {2009}
}
备注
2 pages, 1 figure. Submitted to the 24th International Conference on Low Temperature Physics (LT24), Orlando, FL, USA, Aug. 2005; to be published in the AIP Conference Proceedings series