基于MOS(金属-氧化物-半导体)像素探测器阵列的点对点分辨率极限
仪器与探测器
2018-02-14 v4
摘要
在高能物理中,点对点分辨率是粒子探测器像素阵列的关键先决条件。当前和未来的实验要求开发能够分辨低至微米量级粒子径迹的内部探测器。当今技术尽管尚未在实际探测器中完全实现,但基于统计测量,在像素间距为10微米量级时可达到5微米的极限。基于SOI(绝缘体上硅)技术设计小像素的尝试将在此简要回顾。本文致力于评估构建模块在像素阵列中用于精确跟踪带电粒子的用途。我们将在此对像素尺寸的物理极限进行基于模拟的定量评估。介绍了一种基于CMOS(互补金属-氧化物-半导体)兼容技术的设计,其允许将像素尺寸减小至亚微米范围。其物理原理依赖于埋入式载流子局域化收集栅。该像素制造工艺可基于硅微电子中使用的现有工艺步骤。将讨论像素特性以及像素阵列的设计。将根据最近的离子注入和材料表征讨论现有瓶颈及如何克服它们。
引用
@article{arxiv.1708.08330,
title = {Limits in point to point resolution of MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) based pixels detector arrays},
author = {Nicolas Fourches and Xavier Coppolani and Daniel Desforge and Mariam Kebbiri and Vishant Kumar and Yves Serruys and Gaêlle Gutierrez and Frederic Leprêtre and François Jomard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.08330},
year = {2018}
}
备注
PSD11 conference,2017