扭曲双层石墨烯的晶格弛豫与能带调制

我们从理论上研究了扭曲双层石墨烯（TBG）中的晶格弛豫及其对电子能带结构的影响。我们发展了一种有效连续统理论来描述一般 TBG 中的晶格弛豫，并获得了使总能量最小化的优化结构。特别地，在小旋转角 $< 2^{\circ}$ 时，我们发现弛豫后的晶格大幅缩小了 AA 堆叠区域的面积，并形成了由 AB 和 BA 堆叠区域交替构成的三角畴结构。随后，我们研究了畴形成对电子能带结构的影响。与非弛豫模型相比最显著的变化是，在电子和空穴两侧的超晶格子能带边缘打开了高达 20meV 的能隙。我们还发现，晶格弛豫显著增强了在非弛豫模型中被强烈抑制的费米速度。