单个空穴充电量子点的激光光谱学
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1 量子物理
摘要
我们利用共振激光光谱学表征了单个InGaAs量子点中的正电荷激子(X1+)。比较了三种不同掺杂剂种类(Be或C作为受主,Si作为施主)的样品。与n型掺杂样品相比,p型掺杂样品表现出更大的非均匀展宽(3倍)和更小的吸收对比度(10倍)。对于Be掺杂样品中的X1+,观察到了依赖于点的非线性Fano效应,表明其与简并连续态耦合。然而,对于C掺杂样品,X1+的线型和饱和展宽遵循孤立原子跃迁行为。这种C掺杂器件结构可用于单空穴自旋初始化、操控和测量。
引用
@article{arxiv.1109.4392,
title = {Laser spectroscopy of individual quantum dots charged with a single hole},
author = {B. D. Gerardot and R. J. Barbour and D. Brunner and P. A. Dalgarno and A. Badolato and N. Stoltz and P. M. Petroff and J. Houel and R. J. Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.4392},
year = {2015}
}
备注
12 pages including 5 figures