非故意掺杂InAs量子点中带电激子的光抽运
介观与纳米尺度物理
2010-07-15 v1
摘要
作为常用电学方法的替代，我们研究了带电激子复合物的光抽运，通过具有适当能量的光子来寻址与杂质相关的跃迁。在这些条件下，我们证明抽运保真度可以非常高，同时仍能维持不同激子种类之间的开关行为。我们针对同一样品中存在的不同尺寸的单量子点研究了该机制，并将其与来自附近施主的旁观电子的直接注入进行了比较。
引用
@article{arxiv.0704.2319,
title = {Optical pumping of charged excitons in unintentionally doped InAs quantum dots},
author = {G. Munoz-Matutano and B. Alen and J. Martinez-Pastor and L. Seravalli and P. Frigeri and S. Franchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2319},
year = {2010}
}
备注
4 pages and 3 figures submitted to APL