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来自凿台亚磁性共轨序的大 Chern 数量量子异常哈尔效应:基于 Kagome 格子中的 d 电子系统

介观与纳米尺度物理 2025-11-18 v2 强关联电子

摘要

考虑具有 d 轨道对称性的电子与 Kagome 格子上局域非共轨亚磁性自旋序的相互作用。即使在无外部磁场、无自旋轨道耦合或相对论效应的情况下,自旋纹理仍会产生非平凡的本征 Berry 曲率。这为 d 系统中的量子异常哈尔效应开辟了途径。对于具有垂直分量的自旋序,标量自旋磁性是有限的,Berry 曲率在 Brillouin 区的积分可能以 e2/he^2/h 的单位得到整数哈尔电导率。这种可倾斜配置可导致在费米能级位于非平凡隧穿带内时,最大可能的 Chern 数 C=±5C=\pm 5。该效应最适用于——但不局限于——各向同性 dd 电子 hopping 和退化 dd 能级。在这种情况下,可获得解析表达式,指向该最大 CC 表现的拓扑本质。数值计算表明,这些发现对 hopping 积分中的某些各向异性以及 dd 能级的适度分裂具有较强的鲁棒性。可通过调节 onsite 能量将 C=±5C=\pm 5 台阶分割为具有更小整数的 Chern 峰。通过翻转自旋序的垂直分量,可驱动哈尔台阶之间于相反 CC 值的拓扑相变,暗示了该系统在量子信息方面的潜力。

关键词

引用

@article{arxiv.2509.10976,
  title  = {Large Chern-Number Quantum Anomalous Hall Effect from Canted Antiferromagnetic Order in $d$-Electron System on Kagome Lattice},
  author = {Waquar Ahmed and Steffen Schaeffer and Pierre Lombardo and Roland Hayn and Imam Makhfudz},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2509.10976},
  year   = {2025}
}

备注

6.5 pages main text + 9 pages supplementary materials, additional details on the method used and results for more general case