EuZn2As2 单晶表面观察到的大带隙
材料科学
2024-08-19 v1
摘要
EuM2As2（M = Zn, Cd, In, Sn 等）是一个研究拓扑性质的优秀材料体系，可以通过涉及的磁性轻易调控。理论计算预测 EuZn2As2 中存在带隙和平坦带，而 EuCd2As2 为无带隙结构。在本工作中，使用扫描隧道显微镜/谱学（STM/S）和密度泛函理论（DFT）计算研究了低温（77 K）下解理的 EuZn2As2 晶体。由缺陷引起的局域态密度（LDOS）变化呈三角形，有助于识别表面终止类型：Eu 面与 AsZn 面。尽管在两个 pristine 表面上都观察到了大带隙（约 77 K 下约 1.5 eV），但带隙宽度被发现对局部非均匀性（如缺陷和台阶边）非常敏感，呈现出减小的趋势。结合实验数据与 DFT 模拟，我们得出结论：非均匀区域中修正的带隙源于 Zn 空位和/或 As 原子的取代。本研究为重新评估 EuM2As2 家族的电子拓扑结构提供了重要信息。
引用
@article{arxiv.2408.08858,
title = {Large Bandgap Observed on the Surfaces of EuZn2As2 Single Crystals},
author = {Dejia Kong and Siavash Karbasizadeh and Ganesh Narasimha and Paras Regmi and Chenggang Tao and Sai Mu and Rama Vasudevan and Ian Harrison and Rongying Jin and Zheng Gai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.08858},
year = {2024}
}
备注
17 pages, 4 figures