1T-TaS$_2$中的纳米尺度电子不均匀性
介观与纳米尺度物理
2023-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们报道了一系列扫描隧道显微镜（STM）和谱学（STS）实验，研究 CVT 生长的 1T-TaS 中的本征缺陷。我们研究了来自四块体晶体的六种不同样品表面。大范围成像揭示了由本征缺陷导致的纳米尺度电子不均匀性的普遍存在，其中穿插着 pristine 区域。这些不均匀性出现在典型的生长晶体中，并在低温下与 1T-TaS 良好形成的公度电荷密度波共存。电子不均匀性既表现为 STM 中表观高度的变化，也表现为 STS 中局域态密度的变化；能带可偏移 60 meV，且能隙在不均匀性间变化超过 100 meV。这些不均匀性在所有研究样品的大尺度区域中以相似浓度存在，但不影响局域或全局尺度的电荷密度波形成。公度电荷密度波呈现长程有序，并在这些不均匀性存在时保持局域完整。
引用
@article{arxiv.2310.19751,
title = {Nanoscale electronic inhomogeneities in 1T-TaS$_2$},
author = {B. Campbell and J. V. Riffle and A. de la Torre and Q. Wang and K. W. Plumb and S. M. Hollen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19751},
year = {2023}
}
备注
5 pages, 5 figures