Majorana器件中准粒子中毒引起的Kondo物理

我们给出了与正常导电引线隧穿耦合的库仑阻塞Majorana费米子系统中准粒子中毒的理论分析。考虑有限能量准粒子，我们推导了有效的低能理论并给出了重正化群分析。当能量极低的准粒子态局域在隧穿接触附近时，我们发现了定性全新的效应。对于$M=2$条附加引线，此类“危险”准粒子中毒过程导致自旋$S=1/2$单通道Kondo效应，可通过所有库仑阻塞谷中特征性的零偏压反常电导峰来探测。对于多于两条附加引线，未中毒系统的拓扑Kondo效应变得不稳定。强耦合玻色化分析表明，在低能下中毒引线有效退耦，因此对于$M>3$，拓扑Kondo不动点重新出现，尽管现在仅涉及$M-1$条引线。结果，对于$M=3$，低能不动点变为对应于退耦引线的平庸不动点。