非规约电荷密度波的 Kohn-Luttinger 类机制

由电子引起的相互作用电荷序在多个材料平台上以电子自发对称性破坏状态的形式出现。电子机制的电荷序需要有效电荷顶点中具有吸引性成分。我们提出了一种形成金属中非规约电荷密度波的机制。这些状态源于具有有限波矢和非零角动量的粒子-空子对的凝聚，对应于晶格上的键或环流顺序。我们描述的机制可视为在粒子-空子通道中进行的有限转移动量的 Kohn-Luttinger 分析。它包含一环路自旋和配对修正，这些修正随后用于电荷通道中的求和，以触发不稳定性。我们将我们的分析扩展到自旋涨落方法，其中有效电荷相互作用被粒子-空子阶梯所 dress，交换动量。我们认为，这种机制适用于具有嵌套费米面和大量费米子味道的弱相互作用金属。我们将 Kohn-Luttinger 类方法应用于具有 SU($N_f$) 味道对称性的正方形和三角晶格 Hubbard 模型，表明它导致不同的 $p$ 型电荷密度波。我们也通过具有额外交换相互作用的现象模型研究了弱耦合处以及 Van Hove 填充处的效应。就近 Van Hove 填充而言，我们获得由嵌套决定的 $d$ 型电荷密度波。此外，我们在三角晶格上发现了 Van Hove 填充两侧的 $K/4$ 电荷密度波。我们通过不偏向的函数 RG 计算表明，这种 $K/4$ 不稳定性可以通过与配对竞争获胜 $N_f=4$。