原子级平整MoSe$_{2}$-WSe$_{2}$横向异质结中类卡皮查阻的激子动力学
介观与纳米尺度物理
2023-11-07 v1 光学
摘要
能够控制中性激子流是开发未来室温二维激子器件的必经步骤。具有极鲁棒且高迁移率激子的半导体性单层过渡金属硫族化物(TMD-ML)在此方面极具吸引力。然而，实现高效且受控的长距离激子输运是一项非常艰巨的任务。本文中，我们展示原子级锐利TMD-ML横向异质结构(MoSe-WSe)可将各向同性激子扩散转变为穿过结的单向激子流。利用针尖增强光致发光光谱(TEPL)与改进的激子转移模型，我们展示了界面两侧激子密度分布的间断。我们引入激子卡皮查阻概念，类比于称为卡皮查阻的界面热阻。通过比较带或不带顶部六方氮化硼(hBN)层的不同异质结构，我们推断输运性质可由激子密度通过近场工程及/或激光功率密度在远大于结宽的距离上加以控制。本工作为控制中性激子流提供了新途径，是构想激子器件的关键。
引用
@article{arxiv.2306.13352,
title = {Kapitza-resistance-like exciton dynamics in atomically flat MoSe$_{2}$-WSe$_{2}$ lateral heterojunction},
author = {Hassan Lamsaadi and Dorian Beret and Ioannis Paradisanos and Pierre Renucci and Delphine Lagarde and Xavier Marie and Bernhard Urbaszek and Ziyang Gan and Antony George and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Andrey Turchanin and Laurent Lombez and Nicolas Combe and Vincent Paillard and Jean-Marie Poumirol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.13352},
year = {2023}
}