MoSe2 与非晶 Pb 界面中自旋轨道相互作用的 k 依赖邻近诱导调制
材料科学
2023-10-18 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
调制自旋轨道（SO）相互作用的能力对于构建从最先进的数据存储到量子计算材料等一系列基于自旋电子学的量子器件至关重要。利用邻近诱导效应实现此目的可能成为主流方法，而迄今利用角分辨光电子能谱（ARPES）对其进行的实验验证尚不明朗。在此，利用软 X 射线 ARPES 在探测深度与三维动量 k 固有分辨率上的优势，我们识别了范德瓦耳斯半导体（MoSe2）与高 Z 金属（Pb）邻近时 SO 相互作用的明显调制，并测量了其在 k 空间中的变化。Pb 的强 SO 场使体布里渊区 H 点处（MoSe2 的自旋轨道热点）的 SO 分裂提升了高达 30%。通过 Pb 厚度对分裂的可调性使其能针对新兴量子器件中的特定应用进行定制。
引用
@article{arxiv.2310.11317,
title = {k-dependent proximity-induced modulation of spin-orbit interaction in MoSe2 interfaced with amorphous Pb},
author = {Fatima Alarab and Ján Minár and Procopios Constantinou and Dhani Nafday and Thorsten Schmitt and Xiaoqiang Wang and Vladimir N. Strocov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.11317},
year = {2023}
}