同位素对立方碳化硅晶格参数的影响
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
在等温等压(NPT)系综中进行了路径积分分子动力学模拟，以研究3C-SiC晶格参数对同位素质量的依赖性。这种计算方法能够对此类非谐效应进行定量和非微扰研究。原子核被视为通过紧束缚型势相互作用的量子粒子。在300 K时，含有12C和13C的3C-SiC晶体晶格参数之差Δa为2.1×10^{-4} Å。硅同位素的影响较小，当用29Si替代28Si时，Δa为3.5×10^{-5} Å。PIMD模拟的结果用晶格振动的准谐近似进行了解释。
引用
@article{arxiv.0907.2175,
title = {Isotope effects on the lattice parameter of cubic SiC},
author = {Carlos P. Herrero and Rafael Ramirez and Manuel Cardona},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2175},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures