单层二硫化铌合金中的伊辛超导性

NbSe$_{2}$与NbS$_{2}$是等结构的二维材料，在减薄至单层的极限下表现出迥异的超导性质。单层NbSe$_{2}$是一种伊辛超导体，而单层NbS$_{2}$尚无超导报道。NbS$_{x}$Se$_{2-x}$合金表现出超导转变温度随硫含量非单调依赖的有趣现象，这被解释为分形超导性的表现。然而，关于该结果的若干关键问题尚不明了：(1) 合金的电子结构是否不同于母体化合物，(2) 在单层NbSe$_{2}$中已证明显的自旋涨落是否也存在于合金中？利用第一性原理计算，我们表明NbS$_{x}$Se$_{2-x}$合金在费米能级处的态密度及近磁性均较母体化合物降低；前者会降低转变温度而后者会升高它。我们还表明，可能为磁性对破缺缺陷的Se空位，在NbSe$_{2}$中或以高浓度形成。基于我们的结果，我们对NbS$_{x}$Se$_{2-x}$合金超导转变温度的非单调行为提出一种替代解释，其无需多重分形性的猜想。