半导体芯片上的离子阱
量子物理
2015-06-26 v1
摘要
对孤立原子的电磁操控已带来物理学的诸多进展，从冷气体的激光冷却和玻色-爱因斯坦凝聚，到单个原子离子的精确量子控制。将电磁阱小型化至微米尺度的研究有望实现更高水平的控制与可靠性。相较于约束中性原子的“芯片阱”，具有类似尺寸与功耗的离子阱提供大得多的约束力，并允许在单原子水平上进行无与伦比的控制。此外，离子微阱在开发微型质谱阵列、紧凑原子钟，尤其是大规模量子信息处理器方面极具兴趣。在此我们报道一种微米尺度离子阱的运行，它采用半导体微机电系统（MEMS）技术制作于单片芯片上。我们在由掺杂砷化镓（GaAs）异质结构刻蚀出的集成射频阱中，约束、激光冷却并测量了单个111Cd+离子的加热。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0601052,
title = {Ion Trap in a Semiconductor Chip},
author = {D. Stick and W. K. Hensinger and S. Olmschenk and M. J. Madsen and K. Schwab and C. Monroe},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0601052},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures