β-Ga₂O₃ 中氧原内位扩散研究:基于主扩散方程的直接方法
材料科学
2025-03-19 v2 应用物理
计算物理
摘要
单斜模 -GaO 作为一种前沿宽带隙半导体材料,因其低对称性晶体结构,表现出复杂且各向异性的扩散特征和质量输运行为。本文采用第一性原理计算结合主扩散方程,确定中性()和带2-电荷的氧原内位()的三维扩散张量。系统探索构象空间,识别出这两种占主导电荷态的稳定构象及其形成能。通过考虑原位或原位间的隧穿,构建了三维扩散网络,并评估了网络中所有过渡路径的隧穿势垒。结合(i)缺陷构象及其形成能以及(ii)将其相连的隧穿势垒,本文分别针对和构建并求解主扩散方程,得到相应的三维扩散张量 和 。两种氧原内位均沿 轴方向的扩散最快,显示出显著的各向异性。预测的沿 [100] 和 [] 方向的自扩散系数与先前通过同位素标记氧Tracer实验获得的值良好吻合,凸显了该方法在捕捉复杂扩散机制方面的可靠性。
引用
@article{arxiv.2503.01735,
title = {Investigation of O interstitial diffusion in $\beta$-Ga$_2$O$_3$: direct approach via master diffusion equations},
author = {Grace McKnight and Channyung Lee and Elif Ertekin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.01735},
year = {2025}
}
备注
7 figures, 5 supplemental figures