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纤锌矿GaN中的反相畴界

材料科学 2021-04-21 v2 其他凝聚态物理

摘要

我们提出了纤锌矿GaN中反相畴界原子结构的两种模型,现有文献尚未讨论过。利用密度泛函理论,我们发现其中一种模型的形成能低于先前提出的称为Holt-IDBIDB的模型。尽管这一新提出的模型形成能高于公认的低能结构IDBIDB^*,我们认为它可在典型生长条件下形成。我们给出证据表明它可能已在实验中被观测到,但被误认为Holt-IDBIDB。我们的分析得益于我们引入的一种便捷记号来表征这些模型;该记号基于跨{1010}\{10\overline{1}0\}面的晶体堆垛序列失配。此外,我们提出了一种改进方法来计算某些畴壁的能量,这些方法对平面波密度泛函理论所需的周期性边界条件提出了挑战。这一新方法提供了改进的畴壁能量估计。

关键词

引用

@article{arxiv.2101.02764,
  title  = {Inversion Domain Boundaries in Wurzite GaN},
  author = {M. M. F. Umar and Jorge O. Sofo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.02764},
  year   = {2021}
}