CdSe纳米晶中热电子固有缓慢冷却相对于CdS
化学物理
2024-09-24 v1
摘要
利用半导体纳米晶(nanocrystals, NCs)中激发电荷载流子用于光电子技术的目标长期以来是纳米科学领域的核心课题。因此，探索延长激发载流子寿命的实验工作成为主要研究方向。为理解这些寿命的限制本质，本文在研究两种典型材料CdSe和CdS的负电荷纳米晶中，纯电子松弛时间尺度时，进行了理论分析。我们发现，CdSe中热电子的寿命在仅由材料固有属性主导松弛时，远远长于CdS，长达五到六个数量级。尽管这两种材料已知在电子结构上存在一定差异，但本文阐明了这种巨大的寿命差异如何源于能隙、声子频率及其耦合方式在量级上的相对微小差异。我们还指出，在这些带无空穴的带电系统中，声子对电子松弛的影响主要由F"ohlich机制主导。
引用
@article{arxiv.2409.14665,
title = {Intrinsically slow cooling of hot electrons in CdSe nanocrystals compared to CdS},
author = {Matthew J. Coley-O'Rourke and Bokang Hou and Skylar J. Sherman and Gordana Dukovic and Eran Rabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.14665},
year = {2024}
}
备注
main text (11 pages, 5 figures) + supplementary information (11 pages, 1 figure)