稀 V 掺杂 CuInTe$_2$ 中的本征长程反铁磁耦合
材料科学
2020-04-22 v2 强关联电子
摘要
尽管存在由超交换机制介导的多种磁有序，长程反铁磁（AFM）耦合的存在尚属未知。基于 DFT 计算，我们在 V 掺杂 CuInTe 中发现了一种本征长程 AFM 耦合。该 AFM 耦合主要源于 耦合及沿相互作用链的电子重分布。p 与 d 轨道间较小的能量差，以及掺杂剂 d 轨道与踏脚石位点 d 轨道间较小的能量差，可增强此 AFM 构型的稳定性。我们提出了一个多带 Hubbard 模型，以从基本层面理解黄铜矿稀磁半导体（DMS）中的长程 AFM 耦合。
引用
@article{arxiv.1902.05281,
title = {Intrinsic long range antiferromagnetic coupling in dilutely V doped CuInTe$_2$},
author = {Weiyi Gong and Ching-Him Leung and Chuen-Keung Sin and Jingzhao Zhang and Xiaodong Zhang and Bin Xi and Junyi Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.05281},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 11 figures