超导Bi2Sr2-xLaxCuO6+d薄膜中掺杂与结构调制的相互作用
超导电性
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们研究了外延、c轴取向的Bi2Sr2-xLaxCuO6+d薄膜在改变La含量x以及对于给定x随氧含量变化时结构调制的演化。通过射频磁控溅射原位制备了一系列0<x<0.8的薄膜，并通过R(T)测量以及RBS、TEM和X射线衍射技术进行了表征。通过跨相图的热退火改变每个单独薄膜的氧含量。通过X射线衍射，在特殊的2轴2θ/θ-θ扫描(倒空间扫描)中确定卫星反射振幅的变化，深入研究了结构调制的演化。结果表明，当x从0增加到0.2时，沿c轴的调制振幅显著减小。证明了这种变化主要由La含量x决定，而通过热处理改变氧含量的影响要小得多，甚至对于x>0.2变得可忽略。这项研究对于理解Bi2Sr2-xLaxCuO6+d薄膜的电子性质非常重要。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503459,
title = {Interplay of Doping and Structural Modulation in Superconducting Bi2Sr2-xLaxCuO6+d thin films},
author = {Z. Z. Li and H. Raffy and S. Bals and G. van Tendeloo and S. Megtert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503459},
year = {2009}
}
备注
25 pages with 10 figures, accepted for publication in Phys.Rev.B