基于层间激子的非易失性谷电子存储器
应用物理
2021-03-30 v1
摘要
类似于传统的基于电荷的电子学，谷电子学旨在利用谷自由度编码数据，为信息处理提供新途径。由过渡金属硫族化物（TMDs）堆叠的范德瓦耳斯异质结构（HSs）中长寿命的层间激子（IXs）携带谷极化信息，因而在谷电子器件中具有广阔应用前景。尽管谷电子器件研究已取得巨大进展，但谷电子学中不可或缺的非易失性谷电子存储器迄今仍属空白。在此，我们展示了一种基于 IX 的 WS2/WSe2 异质结构非易失性谷电子存储器。该器件中 IXs 的发射特性在循环电压扫描下呈现巨大的激子/谷电子滞回，这归因于 trapped 于 TMDs 与衬底之间的 O2/H2O 氧化还原对的化学掺杂。借助该大滞回，我们成功制备了首个非易失性谷电子存储器，其保持时间超过 60 分钟，性能良好。这些发现为非易失性谷电子存储器开辟了道路，并可能激发更多关于谷电子器件的研究。
引用
@article{arxiv.2103.15020,
title = {Interlayer-Exciton Based Nonvolatile Valleytronic Memory},
author = {Tong Ye and Yongzhuo Li and Junze Li and Hongzhi Shen and Junwen Ren and Cun-Zheng Ning and Dehui Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.15020},
year = {2021}
}