SiC上石墨烯下的稀土金属插层
介观与纳米尺度物理
2018-11-16 v1
摘要
通过在碳化硅(SiC)上生长的石墨烯上沉积稀土金属( = Eu、Dy和Gd),并随后在高温下退火以促进插层,实现了稀土金属的插层。薄膜的STM图像显示石墨烯层无缺陷,且每种插层金属都具有独特的成核图案。插层的Eu形成位于莫尔(Moiré)图案顶点上的纳米团簇,而Dy和Gd形成随机分布的纳米团簇。插层薄膜的X射线磁圆二色性(XMCD)测量揭示了这些纳米团簇的磁性质。此外,从XMCD提取的磁矩的场依赖性和温度依赖性表现出类顺磁行为,其磁矩通常小于布里渊函数所预测的值。将暴露在空气中数月后的氧化物与石墨烯下插层的XMCD测量进行比较表明,石墨烯膜保护这些插层物免于氧化。
引用
@article{arxiv.1811.06111,
title = {Intercalated Rare-Earth Metals under Graphene on SiC},
author = {Nathaniel A. Anderson and Myron Hupalo and David Keavney and Michael Tringides and David Vaknin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.06111},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 7 figures