用于III-V族半导体纳米结构振动性质的原子间势
介观与纳米尺度物理
2011-07-04 v1 材料科学
摘要
我们为闪锌矿结构的InAs、InP、GaAs和GaP半导体推导了原子间势，这些势可应用于纳米结构领域。势函数包括最近邻和次近邻之间的键伸缩相互作用、三体项以及长程库仑相互作用。优化的势参数通过以下方式获得：(i) 拟合体材料的声子色散和弹性性质；(ii) 约束参数空间，以提供对纳米结构团簇的结构弛豫和振动性质表现良好的势函数。目标值通过密度泛函理论计算获得，计算对象包含最多633个原子的团簇。我们通过计算Kleinman和Grüneisen参数以及直径为3至5.5 nm的纳米结构的振动性质，展示了这一新能力。
引用
@article{arxiv.1107.0196,
title = {Interatomic potentials for the vibrational properties of III-V semiconductor nanostructures},
author = {Peng Han and Gabriel Bester},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.0196},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 5 figures; Phys. Rev. B 2011