W(CO)$_6$ 与 SiO$_2$ 表面相互作用的密度泛函研究
材料科学
2016-08-14 v2
摘要
采用包含和不包含长程范德瓦尔斯相互作用的密度泛函理论计算，研究了六羰基钨 W(CO) 前驱体分子与 SiO 衬底的相互作用。我们考虑了两种不同的表面模型：完全羟基化和部分羟基化的 SiO 表面，分别对应不同实验条件下的衬底。对于完全羟基化表面，我们仅观察到前驱体分子与衬底之间的弱相互作用，W(CO) 发生物理吸附。范德瓦尔斯修正的引入使分子在该表面上稳定化，但并未导致化学键合的显著变化。相比之下，我们发现在部分羟基化的 SiO 表面上，前驱体分子发生自发解离，在从分子中移除一个 CO 配体后，观察到 W(CO) 碎片的化学吸附。无论羟基化程度如何，前驱体分子都倾向于使其多个 CO 配体参与结合。基于这些结果，我们讨论了在电子束诱导沉积过程中，SiO 上钨纳米沉积物初始生长阶段的意义。
引用
@article{arxiv.1107.5172,
title = {Interaction of W(CO)$_6$ with SiO$_2$ Surfaces -- A Density Functional Study},
author = {Kaliappan Muthukumar and Ingo Opahle and Juan Shen and Harald O. Jeschke and Roser Valentí},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.5172},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B