受限光与光学结构化薄膜有机半导体器件的相互作用
材料科学
2023-01-26 v1
摘要
Karl H. Drexhage的开创性实验阐释了光与物质的经典相互作用及发射体衰减率的改变。1此处,我们试图以略有不同的构型模拟这些实验,并测量了从弱耦合到强耦合 regime 下薄膜半导体的电子迁移率。苝二酰亚胺(有机半导体染料)分子沉积于MOSFET器件上。硅/二氧化硅层与染料分子间的折射率失配形成干涉图样。干涉条纹频率通过改变有机半导体厚度来调节。有趣的是,当体系缓慢进入 {\lambda} 腔中的强耦合条件时,我们观察到活性层电子迁移率提升。而 {\lambda}/2 腔的共振调谐不影响电子传输,表明体系仍处于弱耦合 regime。这些结果进一步由光学测量与传输矩阵模拟相关联。由于腔模的高耗散或低品质因子,电子迁移率提升不大。然而,此处提出的无镜构型或可提供更简便的极化激元态性质研究途径。
引用
@article{arxiv.2301.10421,
title = {Interaction of Confined Light with Optically Structured Thin Film Organic Semiconductor Devices},
author = {Kuljeet Kaur and Pooja Bhatt and Ben Johns and Jino George},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.10421},
year = {2023}
}