聚噻吩薄膜中的自旋极化注入
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
有机半导体中的电致发光强烈依赖于由注入载流子复合产生的激发单重态和三重态激子态的相对布居。在传统的有机发光二极管 (OLED) 中，光发射通常基于来自激发单重态的荧光，尽管来自三重态的磷光也正在被研究。控制注入载流子的自旋统计将有助于放大选定的电子跃迁，从而提高 OLED 的效率。沿给定轴直接注入具有高度自旋极化的载流子，应根据相对的电极极化导致对单重态或三重态激发态的优先布居。在此，我们报告了从半金属锰氧化物向聚噻吩 (T6)（一种典型的有机半导体）直接进行自旋极化 (SP) 注入的首次实验证据。在室温下，T6 中的自旋穿透深度约为 250-300 nm。结合有机材料中可能的自旋翻转机制和界面效应对结果进行了讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104165,
title = {Spin polarised injection in sexithienyl thin films},
author = {V. Dediu and M. Murgia and F. C. Matacotta and S. Barbanera and C. Taliani},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104165},
year = {2007}
}
备注
6pages, 2 figures