短激光脉冲下氙的强度分辨阈上电离
光学
2014-05-21 v1 原子物理
摘要
我们利用强度扫描和反卷积技术，展示了氙的强度分辨阈上电离（ATI）谱。实验数据使用啁啾脉冲放大器产生的中心波长为 800 nm、脉宽为 58 fs 的激光脉冲获得。应用反卷积算法后，我们获得了具有更高对比度的谱图，并与特征性的 2 和 10 截止能量吻合良好，这与原始数据中发现的情况相反。检索到的电子电离概率与双电离产生的第二个电子的存在一致。这一恢复的电离概率得到了基于 PPT 隧穿电离模型 [Perelomov, Popov, and Terent'ev, Sov. Phys. JETP 23, 924 (1966)] 的计算证实。因此，光电子产额的测量和所提出的反卷积技术使得能够从通常被体积平均所掩盖的 ATI 谱和电离概率特征中检索出更准确的光谱信息。
引用
@article{arxiv.1401.6751,
title = {Intensity-Resolved Above Threshold Ionization of Xenon with Short Laser Pulses},
author = {Nathan A. Hart and James Strohaber and Gamze Kaya and Necati Kaya and Alexandre A. Kolomenskii and Hans A. Schuessler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6751},
year = {2014}
}
备注
21 pages, 7 figures