合成双色激光脉冲中光电子干涉的半经典分析

我们测量了 Kr 在由强 400 nm 场与弱 800 nm 场组成的双色激光脉冲中强场电离所得的光电子能谱。光电子能谱中主阈上电离（ATI）峰与边带峰的强度随双色分量间相对相位大致反相振荡。我们从不同电子轨迹干涉的视角研究强场 ATI regime 下的光电子干涉术，以将 RABBITT 型分析拓展至强场 regime。基于强场近似模型，我们得到了 ATI 峰与边带峰随相对相位振荡的解析表达式。在不包含原子势效应时，揭示了主 ATI 峰中干涉极大相对于双色激光脉冲场极大的 $\pi/4$ 相移。