稠密等离子体中高电荷态硅离子的软 X 射线光谱学
天体物理学
2009-11-13 v1
摘要
通过用脉宽为 200 fs、能量约为 90 mJ 的超强激光脉冲照射固体硅靶，观测到了高电荷态硅离子（Si VI--Si XII）丰富的软 X 射线发射线。在半高全宽（FWHM）约为 0.3--0.4\AA 的条件下，分析了波长范围为 40--90 \AA 的高电荷态硅离子高分辨率光谱。确定了 53 条显著谱线的波长，其统计不确定度高达 0.005 \AA 。构建了 Si VI -- Si XII 离子的碰撞 - 辐射模型，该模型令人满意地复现了实验光谱并有助于谱线识别。不同电子密度下的计算表明，稠密等离子体的光谱比稀薄等离子体的光谱更为复杂。与 Kelly 数据库的比较显示，大多数峰值强度吻合良好，但少数发射线存在差异。
引用
@article{arxiv.0803.2182,
title = {Soft X-ray spectroscopy of highly charged silicon ions in dense plasmas},
author = {G. Y. Liang and G. Zhao and J. Y. Zhong and Y. T. Li and Y. Q. Liu and Q. L. Dong and X. H. Yuan and Z. Jin and J. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.2182},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 6 figures, and 1 table; In press of publication on ApJS July issue