利用解理表面研究YbInCu4价态转变化合物的红外研究
强关联电子
2007-05-23 v3
摘要
在T_v ~ 42 K的一级价态转变过程中，使用抛光和解理表面测量了YbInCu4单晶的光学反射率R(w)。发现解理表面测得的R(w)（Rc(w)）在整个红外区域远低于抛光表面测得的Rp(w)。在冷却通过T_v时，Rc(w)在小于2 K的温度范围内表现出快速变化，并在进一步冷却时仅表现出微小变化。相比之下，Rp(w)在T_v处表现出更渐进而连续的变化，与先前报道的抛光表面数据相似。当前在解理表面上的结果表明，通过红外光谱观察到的YbInCu4的微观电子结构确实在价态转变时发生突变。Rp(w)的渐近温度演化很可能归因于抛光引起的成分和/或Yb-In位点无序。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609157,
title = {Infrared study of valence transition compound YbInCu4 using cleaved surfaces},
author = {H. Okamura and T. Michizawa and T. Nanba and T. Ebihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609157},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures, Fig.1(a) corrected