半导体量子线和量子阱结构中受限双组分电子系统的非弹性寿命
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
我们通过在动态介电函数的随机相位近似框架内获得准粒子自能，计算了双子带量子线和双层量子阱中电子的库仑散射寿命。我们表明，与单子带量子线相比，双子带量子线中的散射率包含来自粒子-空穴激发和等离激元激发的贡献。对于双层量子阱结构，我们检查了在不同电子密度和层间距下，准粒子以及声学和光学等离激元激发对散射率的各自贡献。我们发现，双组分电子系统中的声学等离激元贡献不会对低能非弹性寿命引入任何定性上新的修正，特别是不会产生在高超导体正常态中观察到的载流子散射率的线性能量依赖关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9606207,
title = {Inelastic lifetimes of confined two-component electron systems in semiconductor quantum wire and quantum well structures},
author = {Lian Zheng and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9606207},
year = {2009}
}
备注
16 pages, RevTeX, 7 figures. Also available at http://www-cmg.physics.umd.edu/~lzheng/