窄电子带系统中近藤屏蔽的诱导与调控
强关联电子
2022-04-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
尽管单杂质近藤物理已被充分理解，但对于稠密局域磁矩与传导电子耦合的近藤晶格问题，理解仍远不完整。在非 f 电子系统中创建并调控近藤晶格，将有助于进一步理解近藤晶格行为。本文中，我们展示在电荷密度波驱动的窄电子带体系 1T-TaS2 中，Pb 插层诱导了扫描隧道显微镜测量中从绝缘能隙到尖锐近藤共振的转变。这源于 1T-TaS2 的 13 位点大卫之星团簇中局域磁矩的近藤屏蔽，从而证实了 1T-TaS2 层中未配对电子的团簇莫特局域化及局域磁矩形成。随着 Pb 浓度增加，由局域电子衍生的窄电子带远离费米能级，近藤共振峰逐渐被抑制。我们的结果为在层状窄电子带材料中创建并调控多体电子态提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2111.07710,
title = {Inducing and tuning Kondo screening in a narrow-electronic-band system},
author = {Shiwei Shen and Chenhaoping Wen and Pengfei Kong and Jingjing Gao and Jianguo Si and Xuan Luo and Wenjian Lu and Yu-Ping Sun and Gang Chen and Shichao Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.07710},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 5 figures