与强拓扑绝缘体异质结构在普通绝缘体中诱导的鲁棒拓扑序
材料科学
2016-11-16 v1
摘要
物质的拓扑态源于材料独特的拓扑电子结构。对于强拓扑绝缘体（STIs），拓扑表面（界面）是归属于不同拓扑类别的材料之间电子结构转变的直接结果。因此，这种拓扑特性是否可以被调控，具有根本性的重要意义。除了通过外部应变或化学掺杂等方式调节晶体场和自旋轨道耦合强度外，目前鲜有关于通过普通绝缘体/强拓扑绝缘体（OI/STI）异质结构在普通绝缘体（OIs）中诱导出拓扑态的报道。在此，我们报告了在OI/STI异质结构中，在厚度高达15纳米的Sb2Se3层上观察到狄拉克锥拓扑表面态（TSS），这与OI/OI异质结构中观察不到任何TSS迹象形成鲜明对比。这为通过异质结构在OI中诱导出拓扑态提供了证据。
引用
@article{arxiv.1611.04688,
title = {Induced robust topological order on an ordinary insulator hetero-structured with a strong topological insulator},
author = {Bin Li and Qiangsheng Lu and Shuigang Xu and Yipu Xia and Wingkin Ho and Ning Wang and Chang Liu and Maohai Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04688},
year = {2016}
}