Mn 替代 BaFe$_{2}$As$_{2}$ 中的非相干电子能带态

化学替代常用于探索材料中的新基态，但无序的作用常被忽视。在 Mn 替代的 BaFe$_{2}$As$_{2}$（MnBFA）中，尽管在标称空穴掺杂相中观察到超导（SC），此处却不存在超导，而是出现了与 $S=5/2$ 的 Mn 局域自旋相关的玻璃态磁相。本工作中，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）对 MnBFA 的电子结构进行了全面研究。我们发现 Mn 引起电子袋微小且轨道特异性的缩减，仅部分破坏了嵌套条件。基于谱学性质分析，我们观察到所有能带中电子散射率随 Mn 含量增加而上升。这被解释为能带非相干性增强，我们提出这是 MnBFA 中磁序被抑制的主要原因。该发现将 MnBFA 电子能带结构性质与这些材料中观察到的玻璃态磁行为联系起来，并表明 SC 的缺失源于散射 Fe 衍生激发的集体磁性杂质行为。此外，我们的分析显示自能虚部 [$\text{Im}\Sigma(E_{B})$] 的束缚能（$E_{B}$）依赖最好由分数标度描述（$\text{Im}\Sigma(E_{B})\propto\sqrt{-E_{B}}$）。这些结果表明 Mn 将 MnBFA 调控至 BaFe$_{2}$As$_{2}$ 中关联 Hund 金属与 BaMn$_{2}$As$_{2}$ 中 Hund 绝缘体之间的电子无序相。