掺杂诱导的自旋激发减弱：Cr掺杂BaFe$_2$As$_2$中的实验研究

在掺杂Hund金属体系中，如铁基超导体，电荷掺杂与化学应力常被视为主导因素。实际上，部分化学取代不可避免地引入无序性。本文通过高分辨率共挨非弹性X射线散射（RIXS）研究Ba(Fe$_{1-x}$Cr$_x$)$_2$As$_{2}$（CrBFA）中自旋激发，分别考察了x=0, 0.035, 和 0.085的样品。Cr作为空穴掺杂剂，但同时引入局域自旋，与Fe衍生的磁激发发生竞争。我们发现Fe衍生的磁激发被软化并减弱，在x=0.085时表现为过阻尼。此时，补充的角谱光谱学（ARPES）测量显示电子局域化增加，抑制了母体化合物中d$_{xz}$/d$_{yz}$带的嵌象膜分裂。我们因此提出一种显式包含取代无序及Cr局域自旋的局域自旋模型，成功复现了我们的关键观察。我们的发现揭示了Hund金属体系中无序效应可压倒电荷掺杂效应的情形。