中子上散射截面的非相干近似及其对慢中子与低温晶体的修正
核理论
2021-05-12 v1 其他凝聚态物理
摘要
非相干近似（IA）常用于计算任意固体中的单声子非弹性中子散射截面。它对热中子成立，但对慢中子需要修正，这对于强相干散射的同位素而言是显著的。在本文中，我们以固态正氘（sD）为例，给出 Placzek--Van Hove 修正对低温极限下慢中子的推广。我们的方法给出了 sD 实际的单声子上散射截面，并表明 IA 对 sD 中超冷中子（UCN）上散射高估了 2 至 5 倍。我们的计算与先前发表的基于多晶正氘动态结构函数 的单声子截面蒙特卡洛计算相比较，发现与之相符。此外，我们提供了易于复现的慢中子在固态正氘中单声子上散射截面的计算手段。从此应在 UCN 在 sD 中散射的计算与模拟中使用这些结果。
引用
@article{arxiv.2105.04624,
title = {Incoherent approximation for neutron up-scattering cross sections and its corrections for slow neutrons and low crystal temperatures},
author = {Stefan Döge and Chen-Yu Liu and Albert Young and Christoph Morkel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.04624},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 1 figure, 1 table