中子被超导环的非弹性散射

考虑中子磁矩与超导电流产生的磁场之间的相互作用，从理论上推导了中子被超导环非弹性磁散射的微分截面。在此散射过程中，中子动能离散增加，相应地，环中捕获的磁通量子数减少。针对膜厚$d<\lambda$（$\lambda$为穿透深度）的第二类超导体薄膜环，对冷中子的散射截面进行了定量计算。