改进单侧带ptychography亚像素校正在低剂量条件下的性能
应用物理
2026-03-26 v2
摘要
单侧带(SSB)分析电子ptychography框架能够考虑探针形成镜头引起的残余几何畸变的存在。然而，该畸变校正方法的准确性对噪声高度敏感，这部分原因在于需要进行相位展开。为此，本文提出两种策略来改进低剂量条件下的畸变校正性能：将相位展开限制在侧带内，以及仅选择已正确展开的侧带用于计算畸变系数。通过对单层硅化物(WSe2)的模拟和实验4D-STEM数据集进行SSB重建来验证这些策略。结果比较表明，这些策略在泊松噪声容忍度方面实现了显著提升，使畸变校正在低剂量成像中更加稳健可靠。
引用
@article{arxiv.2505.09555,
title = {Improving the low-dose performance of aberration correction in single sideband ptychography},
author = {Songge Li and Nicolas Gauquelin and Hoelen L. Lalandec Robert and Arno Annys and Chuang Gao and Christoph Hofer and Timothy J. Pennycook and Jo Verbeeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.09555},
year = {2026}
}