点缺陷对顺磁性 CrN 电子结构的影响
材料科学
2014-10-14 v2
摘要
本文提出了对顺磁性立方 CrN的第一性原理计算，旨在为最近发表的基于透射电子显微镜的该材料研究提供更深入的见解。在可能导致缺氮材料的几种点缺陷类型中，发现 N 空位在能量上优于 Cr 间隙原子和反位缺陷。计算了 CrN中不同 N 空位浓度下的 N K 边跃迁的电子能量损失近边结构（Electron Energy Loss Near Edge Structure），得出的趋势与实验观察结果一致。电子结构分析表明，随着 N 空位含量的增加，Cr 位点的电荷转移减少，从而增加了缺陷材料的金属特性。最后，发现电子结构强烈依赖于局部环境（即 N 空位的存在）。
引用
@article{arxiv.1410.0758,
title = {Impact of point defects on the electronic structure of paramagnetic CrN},
author = {David Holec and Liangcai Zhou and Zaoli Zhang and Paul H. Mayrhofer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.0758},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures