光谱学揭示 URu$_2$Si$_2$ 中杂化能隙与隐序能隙的差异
超导电性
2013-05-30 v1 强关联电子
摘要
我们展示了 URuAs 单晶的面内光学反射率测量结果。研究揭示了强烈的温度依赖光谱演化。在 50 K 以上，低频光学电导率相当平坦，没有清晰的 Drude 型响应，表明自由载流子的输运寿命非常短。在远低于相干温度时，400 cm 以下出现突然的光谱权重抑制，为导带电子与窄 f 电子带混合形成的杂化能隙提供了证据。一小部分被抑制的光谱权重转移到了低频侧，形成一个窄的 Drude 分量，而大部分被抑制的光谱权重则转移到了以 4000 cm 附近为中心的高频侧。在隐序温度以下，观察到另一个非常显著的能隙结构，它导致大部分 Drude 分量被移除，并且载流子散射率急剧降低。该研究揭示，杂化能隙与隐序能隙截然不同：它们出现在不同的能量尺度上，并表现出完全不同的光谱特征。
引用
@article{arxiv.1203.3176,
title = {Hybridization gap versus hidden order gap in URu$_2$Si$_2$ as revealed by optical spectroscopy},
author = {W. T. Guo and Z. G. Chen and T. J. Williams and J. D. Garrett and G. M. Luke and N. L. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.3176},
year = {2013}
}
备注
5 pages