从光电导观测 URu2Si2 隐序态中的多能隙结构

我们测量了重费米子化合物 URu$_2$Si$_2$ 在穿过被称为“隐序”的 T$_{HO}$=17.5 K 相变时的远红外反射率，所用光沿四方结构的 a 轴和 c 轴偏振。光电导使我们能够详细研究隐序能隙的形成。我们发现电导率和能隙结构都是各向异性的，并且 c 轴电导率显示出双能隙结构的证据，在 4 K 时分别为 $\Delta_{1,c}=2.7$ meV 和 $\Delta_{2,c}=1.8$ meV，而在 a 轴电导率中看到的能隙在 4 K 时的值为 $\Delta_a=3.2$ meV。能隙的打开并不遵循平均场理论在相变附近预期的行为。