URu$_2$Si$_2$ 中的隐序赝能隙
强关联电子
2011-12-26 v3 材料科学
摘要
通过对各种实验技术数据的分析与建模，我们提供了清晰的证据，表明在 25 K 至 17.5 K 的温度范围内，\U 中存在隐序赝能隙。考虑到相变时隐序能隙的涨落是赝能隙的起源，我们评估了能隙涨落对隧道电导、中子散射和核共振等可观测量产生的影响，并将其与实验结果联系起来。我们表明，向隐序相的转变很可能是二级相变，并且先于非相干隐序涨落的出现。
引用
@article{arxiv.1104.2931,
title = {Hidden order pseudogap in URu$_2$Si$_2$},
author = {J. T. Haraldsen and Y. Dubi and N. J. Curro and A. V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2931},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures, Submitted for review