通过杂质掺杂揭示URu2Si2中的隐藏序
强关联电子
2013-05-29 v1
摘要
我们报告了利用杂质来探测强关联金属URu_2Si_2在转变温度T_0 ~ 17.5 K以下的隐藏序参量。该序参量的本质二十多年来一直困扰着研究者，但其伴随着单粒子态密度中部分能隙的形成，这可以通过测量电子比热和核自旋-晶格弛豫率来探测。我们发现隐藏序相中的杂质会产生局域的反铁磁斑块。对反铁磁性与隐藏序之间耦合的分析表明，前者并非竞争序参量，而是后者的寄生效应。
引用
@article{arxiv.0906.3040,
title = {Uncovering the Hidden Order in URu2Si2 by Impurity Doping},
author = {S. -H. Baek and M. J. Graf and A. V. Balatsky and E. D. Bauer and J. C. Cooley and J. L. Smith and N. J. Curro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.3040},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures