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URu$_2$Si$_2$ 隐序相变的高场研究

强关联电子 2009-11-07 v1

摘要

我们在高达 45 T 的磁场中,利用比热、磁热效应和磁阻详细研究了 URu2_{2}Si2_{2} 单晶的低温/高磁场相。低至 0.5 K 并外推至 T = 0 的数据表明,隐序相在 Ho_{o}(0) = 35.9 ±\pm 0.35 T 处被抑制,并在高于 H1_{1}(0) = 36.1 ±\pm 0.35 T 的磁场下出现一个新相,该相\textit{仅}在低于 6 K 的温度下被观察到。进而,该高场态在临界磁场 H2_{2}(0) = 39.7 ±\pm 0.35 T 处被完全抑制。在 40 T 以上未观察到相变。我们在巡游与局域 \textit{f} 电子行为的背景下讨论了我们的结果,并考虑了其对隐序相的意义。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0209500,
  title  = {High Field Studies of the Hidden Order Transition in URu$_2$Si$_2$},
  author = {M. Jaime and K. H. Kim and G. Jorge and S. McCall and J. A Mydosh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209500},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 3 figures Submitted May 10, 2002. Revised Sep 17, 2002