URu2Si2 中的低场磁化率与隐藏序相变
强关联电子
2011-09-07 v1
摘要
尽管经过了几十年的实验和理论研究，URu2Si2 中在 THO = 17.5 K 处的隐藏序相变的本质仍然是一个谜。我们在此报告了在沿 c 轴加场的单晶上进行的低场直流磁化强度以及交流磁化率测量。在一阶交流磁化率中，于 T=16 K 处观察到一个峰，该温度非常接近众所周知的在 THO=17.5 K 处的斜率变化。另一方面，三阶磁化率测量仅在 16 K 处揭示出一个特征，而在 THO 处没有可辨别的变化。然而，这两个相变在五阶磁化率中均可见。在低场直流磁化强度测量中，这个较低温度的相变特征也表现为一个自发铁磁信号。一个类似但更强的铁磁响应出现在 T~35 K 处。这两个铁磁特征都在一个小场（B ~ 40 高斯 || c 轴）中被抑制。较低温度特征与隐藏序相变的接近性，以及 35 K 处铁磁特征的同时存在和被抑制，可能是由于一个“对称破缺场”消除了隐藏序相变复杂序参量中的简并，至少在 URu2Si2 晶体内部局域如此。
引用
@article{arxiv.1109.1038,
title = {Low Field Magnetic Susceptibility and the Hidden Order Transition in URu2Si2},
author = {B. S. Shivaram and D. G. Hinks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1038},
year = {2011}
}
备注
5 figs