URu2Si2高磁场相图的角度依赖性
强关联电子
2013-02-14 v1
摘要
我们报道了URu2Si2单晶在高达60 T的高磁场和1.4 K至40 K温度范围内的磁电阻率RHOxx测量结果。研究了磁场的不同取向，从而能够追踪所有磁相变和交叉对Q的依赖性，其中Q是磁场与易轴c之间的夹角。我们发现所有磁相变和交叉都遵循简单的1/cos(Q)定律，表明它们受磁场在c轴上的投影控制。
引用
@article{arxiv.1202.4292,
title = {Angular Dependence of the High-Magnetic-Field Phase Diagram of URu2Si2},
author = {Gernot W. Scheerer and William Knafo and Dai Aoki and Jacques Flouquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.4292},
year = {2013}
}