YbCo2Si2在H // [100]方向下的H-T相图

我们报告了对YbCo2Si2单晶进行的首次高分辨率直流磁化强度（$M$）测量。在低至0.05 K的温度和高达12 T的磁场下，测量了$M$，磁场$H$平行于晶向[100]。在磁场$\mu_{0}H = 0.1$ T下，在$T_{N} = 1.75$ K和$T_{L} = 0.9$ K处检测到两个反铁磁相变，分别表现为$\chi = M/H$的尖锐尖峰和突然下降。这些特征表明，$T_{N}$处的相变为二级相变，$T_{L}$处的相变为一级相变。上相变被临界场$\mu_{0}H_{N} = 1.9$ T抑制。在最低温度下，场依赖的磁化强度显示出两个具有滞后的变磁台阶，随后是一个尖锐的扭结，将反铁磁区与顺磁区分开。根据等温线和等场线推导出了YbCo2Si2的磁$H - T$相图。识别出四个反铁磁区域，它们由一级和二级相变线分隔。